NTMD6601NR2G

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2008

Pin Sayısı

8

Feedback Capmax Crss

30 pF

Drain Currentmax Abs Id

1.1A

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Input Capacitance Ciss Max Vds

400pF @ 25V

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Kaplaması

TIN

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

Kurşunsuz Kodu

yes

Parça Durumu

Obsolete

Continuous Drain Current Id

1.1A

Terminal Sayısı

8

Ds Breakdown Voltagemin

80V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Pin Sayısı

8

Max Power Dissipation

600mW

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Montaj

Surface Mount

Drainsource On Resistancemax

0.215Ohm

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Formu

GULL WING

Fet Feature

Logic Level Gate

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

2

Drain To Source Breakdown Voltage

80V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Power Dissipation

1W

Montaj Tipi

Surface Mount

Power Max

600mW

Jesd30 Code

R-PDSO-G8

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Yüzey Montaj

YES

Element Configuration

Dual

Gate Charge Qg Max Vgs

15nC @ 10V

Current Continuous Drain Id25

1.1A