NTHD5905T1

Teknik Özellikler

Voltage Rated Dc

-8V

Jesd30 Code

R-XDSO-C8

Vgsth Max Id

450mV @ 250μA

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Current Continuous Drain Id25

3A

Yüzey Montaj

YES

Fet Feature

Logic Level Gate

Drainsource On Resistancemax

0.09Ohm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rise Time

45ns

Terminal Kaplaması

TIN LEAD

Gate Charge Qg Max Vgs

9nC @ 4.5V

Max Power Dissipation

1.1W

Montaj Tipi

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

2

Power Max

1.1W

Yayın Yılı

2003

Terminal Sayısı

8

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Formu

C BEND

Akım Değeri

-3A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Obsolete

Rds On Max Id Vgs

90m Ω @ 3A, 4.5V

JESD-609 Kodu

e0

Drain To Source Voltage Vdss

8V

Kurşunsuz

Contains Lead

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Pin Sayısı

8

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

8-SMD, Flat Lead

Qualification Status

COMMERCIAL

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED