NSTB60BDW1T1

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Current Collector Cutoff Max

500nA

Transistor Type

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Qualification Status

COMMERCIAL

Pin Sayısı

6

Polaritychannel Type

NPN AND PNP

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Number Of Elements

2

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Continuous Collector Current

-150mA

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Drain To Source Breakdown Voltage

50V

Max Collector Current

150mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Montaj Tipi

Surface Mount

Frequency Transition

140MHz

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Max Power Dissipation

250mW

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Obsolete

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Resistor Base R1

22k Ω

Temel Parça No

NSTB60B

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

235

Kurşunsuz

Contains Lead

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Montaj

Surface Mount

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e0

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Akım Değeri

-1mA