NSBC114YDXV6T1

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Akım Değeri

100mA

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Parça Durumu

Obsolete

Montaj Tipi

Surface Mount

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Max

500mW

Terminal Sayısı

6

Transistor Application

SWITCHING

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Polarity

NPN

Power Dissipation

357mW

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Terminal Kaplaması

MATTE TIN

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Voltage Rated Dc

50V

Yayın Yılı

2006

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Current Collector Cutoff Max

500nA

Qualification Status

COMMERCIAL

Max Breakdown Voltage

50V

JESD-609 Kodu

e3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Yüzey Montaj

YES

Pin Sayısı

6

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Number Of Elements

2

Continuous Collector Current

100mA

Polaritychannel Type

NPN

Temel Parça No

NSBC1*

Kurşunsuz

Contains Lead