NSBC114EPDXV6T1

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2008

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Qualification Status

COMMERCIAL

Current Collector Cutoff Max

500nA

Voltage Rated Dc

50V

JESD-609 Kodu

e3

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Breakdown Voltage

50V

Yüzey Montaj

YES

Resistor Emitter Base R2

10k Ω

Number Of Elements

2

Pin Sayısı

6

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Montaj

Surface Mount

Kurşunsuz

Contains Lead

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Polaritychannel Type

NPN AND PNP

Continuous Collector Current

100mA

Temel Parça No

NSBC1*

Max Collector Current

100mA

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

6

Resistor Base R1

10k Ω

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Power Dissipation

500mW

Terminal Formu

FLAT

Hfemin

35

Currentcollector Ic Max

100mA

Element Configuration

Dual

Akım Değeri

100mA

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Parça Durumu

Obsolete

Montaj Tipi

Surface Mount

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Terminal Sayısı

6