NSBA143TDXV6T1

Teknik Özellikler

Polarity

PNP

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Power Dissipation

357mW

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

160 @ 5mA 10V

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR

Terminal Kaplaması

MATTE TIN

Akım Değeri

-100mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Obsolete

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

6

Power Max

500mW

Kurşunsuz Kodu

yes

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Montaj

Surface Mount

Kurşunsuz

Contains Lead

Temel Parça No

NSBA1*

Polaritychannel Type

PNP

Continuous Collector Current

-100mA

Max Collector Current

100mA

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Resistor Base R1

4.7k Ω

Terminal Formu

FLAT

Max Power Dissipation

500mW

Element Configuration

Dual

Currentcollector Ic Max

100mA

Hfemin

160

Qualification Status

COMMERCIAL

Current Collector Cutoff Max

500nA