NSBA143EDXV6T1

Teknik Özellikler

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

15 @ 5mA 10V

Terminal Kaplaması

MATTE TIN

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Polarity

PNP

Power Dissipation

357mW

Parça Durumu

Obsolete

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Sayısı

6

Transistor Application

SWITCHING

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Max

500mW

Akım Değeri

-100mA

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Base R1

4.7k Ω

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Power Dissipation

500mW

Terminal Formu

FLAT

Currentcollector Ic Max

100mA

Hfemin

15

Element Configuration

Dual

Kurşunsuz

Contains Lead

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Continuous Collector Current

-100mA

Polaritychannel Type

PNP

Temel Parça No

NSBA1*

Max Collector Current

100mA

ECCN Kodu

EAR99

Yüzey Montaj

YES

Resistor Emitter Base R2

4.7k Ω

Number Of Elements

2