NSBA123JDXV6T1G

Teknik Özellikler

Power Dissipation

357mW

Polarity

PNP

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Terminal Kaplaması

TIN

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.047

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Akım Değeri

-100mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Sayısı

6

Power Max

500mW

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj Tipi

Surface Mount

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Parça Durumu

Obsolete

Max Collector Current

100mA

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj

Surface Mount

Temel Parça No

NSBA1*

Continuous Collector Current

-100mA

Polaritychannel Type

PNP

Terminal Formu

FLAT

Max Power Dissipation

500mW

Element Configuration

Dual

Currentcollector Ic Max

100mA

Hfemin

80

Pin Sayısı

6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Resistor Base R1

2.2k Ω

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3