NSBA114TDXV6T1

Teknik Özellikler

Voltage Rated Dc

-50V

Current Collector Cutoff Max

500nA

Qualification Status

COMMERCIAL

Yayın Yılı

2009

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Max Breakdown Voltage

50V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

JESD-609 Kodu

e3

Yüzey Montaj

YES

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Pin Sayısı

6

Number Of Elements

2

Temel Parça No

NSBA1*

Continuous Collector Current

-100mA

Polaritychannel Type

PNP

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Kurşunsuz

Contains Lead

Montaj

Surface Mount

ECCN Kodu

EAR99

Max Collector Current

100mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Resistor Base R1

10k Ω

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Dual

Currentcollector Ic Max

100mA

Hfemin

160

Terminal Formu

FLAT

Max Power Dissipation

500mW

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transistor Element Material

SILICON

Akım Değeri

-100mA

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Montaj Tipi

Surface Mount

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Parça Durumu

Obsolete

Power Max

500mW

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

SWITCHING