NE3511S02-T1C-A

Teknik Özellikler

Package Shape

RECTANGULAR

Rohs Code

Yes

Terminal Pozisyonu

QUAD

Parça Durumu

Obsolete

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Tedarikçi Cihaz Paketi

S02

Jesd30 Code

R-PQMW-F4

Paket

Bulk

Max Power Dissipation

165mW

Akım Değeri

70mA

Package Description

MICROWAVE, R-PQMW-F4

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Number Of Elements

1

Üretici Parça No

NE3511S02-T1C-A

Radyasyon Dayanımı

No

Brand Name

Renesas

Gain

13.5dB

Noise Figure

0.3dB

Power Gainmin Gp

12.5 dB

REACH Uyumluluk Kodu

compliant

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

4-SMD, Flat Leads

Operating Temperaturemax

125 °C

Number Of Terminals

4

Ds Breakdown Voltagemin

3 V

Terminal Formu

FLAT

Yüzey Montaj

YES

Current Rating Amps

70mA

Voltage Test

2V

Terminal Kaplaması

TIN BISMUTH

Continuous Drain Current Id

70mA

Reflow Temperaturemax S

NOT SPECIFIED

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e6

Transistor Application

AMPLIFIER

Part Life Cycle Code

Obsolete

Maks. Çalışma Sıcaklığı

125°C

Nominal Gerilim

4V

Min Breakdown Voltage

4V

Package Style

MICROWAVE