MUN5311DW1T1

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Kurşunsuz

Contains Lead

Resistor Emitter Base R2

10k Ω

Qualification Status

COMMERCIAL

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Kurşunsuz Kodu

no

Voltage Rated Dc

50V

Pin Sayısı

6

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Max Power Dissipation

250mW

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1

Element Configuration

Dual

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Transistor Application

SWITCHING

Resistor Base R1

10k Ω

Akım Değeri

100mA

Currentcollector Ic Max

100mA

Montaj Tipi

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e0

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

35 @ 5mA 10V

Power Dissipation

187mW

Temel Parça No

MUN53**DW1

Terminal Kaplaması

TIN LEAD

ECCN Kodu

EAR99

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Continuous Collector Current

100mA

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Power Max

385mW

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Montaj

Surface Mount

Yüzey Montaj

YES

Current Collector Cutoff Max

500nA