MUN5237DW1T1

Teknik Özellikler

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Voltage Rated Dc

50V

Pin Sayısı

6

Kurşunsuz Kodu

no

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 5mA, 10mA

Terminal Formu

GULL WING

Resistor Emitter Base R2

22k Ω

Qualification Status

COMMERCIAL

Kurşunsuz

Contains Lead

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Transistor Application

SWITCHING

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Resistor Base R1

47k Ω

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Element Configuration

Dual

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Max Power Dissipation

250mW

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Power Max

250mW

Yüzey Montaj

YES

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Montaj

Surface Mount

Continuous Collector Current

100mA

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Temel Parça No

MUN52**DW1T

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

TIN LEAD

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Power Dissipation

187mW

JESD-609 Kodu

e0

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Akım Değeri

100mA

Currentcollector Ic Max

100mA

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV