MUN5216DW1T1

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Kurşunsuz Kodu

no

Voltage Rated Dc

50V

Pin Sayısı

6

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Kurşunsuz

Contains Lead

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Qualification Status

COMMERCIAL

Terminal Formu

GULL WING

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Transistor Application

SWITCHING

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Resistor Base R1

4.7k Ω

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Max Power Dissipation

250mW

Element Configuration

Dual

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Temel Parça No

MUN52**DW1T

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

TIN LEAD

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Continuous Collector Current

100mA

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Power Max

250mW

Yüzey Montaj

YES

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Montaj

Surface Mount

Currentcollector Ic Max

100mA

Akım Değeri

100mA

JESD-609 Kodu

e0

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

160 @ 5mA 10V

Power Dissipation

187mW

Number Of Elements

2

Polarity

NPN