MUN5137DW1T1

Teknik Özellikler

Kurşunsuz Kodu

no

Resistor Base R1

47k Ω

Qualification Status

COMMERCIAL

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

JESD-609 Kodu

e0

Power Dissipation

250mW

Akım Değeri

-100mA

Terminal Sayısı

6

Element Configuration

Dual

ECCN Kodu

EAR99

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Polaritychannel Type

PNP

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47

Power Max

250mW

Terminal Formu

GULL WING

Max Power Dissipation

250mW

Kurşunsuz

Contains Lead

Montaj Tipi

Surface Mount

Temel Parça No

MUN51**DW1T

Currentcollector Ic Max

100mA

Yüzey Montaj

YES

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 5mA, 10mA

Pin Sayısı

6

Yayın Yılı

2009

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Current Collector Cutoff Max

500nA

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Terminal Kaplaması

TIN LEAD

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Resistor Emitter Base R2

22k Ω

Max Collector Current

100mA