MUN5131T1

Teknik Özellikler

Polaritychannel Type

PNP

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

ECCN Kodu

EAR99

Power Max

202mW

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Hfemin

8

Terminal Formu

GULL WING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Qualification Status

COMMERCIAL

Transistor Application

SWITCHING

Resistor Base R1

2.2 k Ω

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Dissipation

202mW

JESD-609 Kodu

e3

Akım Değeri

-100mA

Element Configuration

Single

Terminal Sayısı

3

Kurşunsuz

Contains Lead

Montaj Tipi

Surface Mount

Temel Parça No

MUN51**T

Yüzey Montaj

YES

Currentcollector Ic Max

100mA

Max Power Dissipation

202mW

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Kaplaması

MATTE TIN

Kılıf / Paket

SC-70, SOT-323

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 5mA, 10mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

8 @ 5mA 10V

Yayın Yılı

2009

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Pin Sayısı

3

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Current Collector Cutoff Max

500nA

Voltage Rated Dc

-50V

Parça Durumu

Obsolete