Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Gain Bandwidth Product
- 2 GHz
- Power Max
- 200mW
- Voltage Rated Dc
- 12V
- Hfemin
- 25
- Additional Feature
- LOW NOISE
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD
- Pin Sayısı
- 3
- Pin Sayısı
- 3
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 12V
- Frekans
- 2GHz
- Continuous Collector Current
- 50mA
- Transistor Element Material
- SILICON
- Weight
- 201mg
- Highest Frequency Band
- ULTRA HIGH FREQUENCY B
- Montaj
- Through Hole
- Configuration
- SINGLE
- Transistor Type
- NPN
- Akım Değeri
- 50mA
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Terminal Sayısı
- 3
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 400mV
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 240
- Element Configuration
- Single
- JESD-609 Kodu
- e0
- Yüzey Montaj
- NO
- Max Breakdown Voltage
- 12V
- Yayın Yılı
- 2006
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Temel Parça No
- MPS5179
- Kılıf / Paket
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Emitter Base Voltage Vebo
- 2.5V
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Power Dissipation
- 350mW
- Parça Durumu
- Obsolete
- Currentcollector Ic Max
- 50mA
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Lifecycle Status
- OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Ambalaj
- Bulk
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors