Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- JESD-609 Kodu
- e0
- Yüzey Montaj
- NO
- Terminal Sayısı
- 3
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 240
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 400mV
- Element Configuration
- Single
- Kılıf / Paket
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Emitter Base Voltage Vebo
- 2V
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Yayın Yılı
- 2006
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 12V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Highest Frequency Band
- ULTRA HIGH FREQUENCY B
- Montaj
- Through Hole
- Gain Bandwidth Product
- 1.5 GHz
- Voltage Rated Dc
- 12V
- Power Max
- 350W
- Hfemin
- 20
- Noise Figure Db Typ F
- 6.5dB @ 60MHz
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD
- Pin Sayısı
- 3
- Akım Değeri
- 50mA
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- HTS Kodu
- 8541.21.00.75
- Configuration
- SINGLE
- Transistor Type
- NPN
- Gain
- 14dB @ 200MHz
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 12V
- RoHS
- Non-Compliant
- Transition Frequency
- 1500MHz
- Jesd30 Code
- O-PBCY-T3
- Frequency Transition
- 1.5GHz
- REACH Uyumluluk Kodu
- not_compliant
- Number Of Elements
- 1
- Max Power Dissipation
- 350W
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Polaritychannel Type
- NPN
- ECCN Kodu
- EAR99
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors