MMUN2231LT1

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Terminal Pozisyonu

DUAL

JESD-609 Kodu

e0

Max Collector Current

100mA

Pin Sayısı

3

Currentcollector Ic Max

100mA

Resistor Base R1

2.2 k Ω

Number Of Elements

1

Resistor Emitter Base R2

2.2 k Ω

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

Temel Parça No

MMUN22**L

Jedec95 Code

TO-236AB

Terminal Kaplaması

TIN LEAD

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Montaj

Surface Mount

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 5mA, 10mA

Voltage Rated Dc

50V

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Qualification Status

COMMERCIAL

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

8 @ 5mA 10V

Max Power Dissipation

246mW

Kurşunsuz Kodu

no

ECCN Kodu

EAR99

Hfemin

8

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Akım Değeri

100mA

Transistor Application

SWITCHING

Yüzey Montaj

YES

Power Dissipation

246mW

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Element Configuration

Single

Current Collector Cutoff Max

500nA

Transistor Element Material

SILICON

Polaritychannel Type

NPN

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V