MMUN2113LT3

Teknik Özellikler

Montaj

Surface Mount

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Parça Durumu

Obsolete

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Terminal Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Power Max

246mW

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Rated Dc

-50V

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Terminal Formu

GULL WING

Qualification Status

COMMERCIAL

Max Power Dissipation

246mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1

Akım Değeri

-100mA

Yayın Yılı

2008

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Yüzey Montaj

YES

Kurşunsuz

Contains Lead

Transistor Application

SWITCHING

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Terminal Pozisyonu

DUAL

Current Collector Cutoff Max

500nA

JESD-609 Kodu

e0

Pin Sayısı

3

Max Collector Current

100mA

Currentcollector Ic Max

100mA

Polaritychannel Type

PNP

Number Of Elements

1

Resistor Base R1

47 k Ω

Transistor Element Material

SILICON

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Jedec95 Code

TO-236AB