MMUN2112LT1

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Max

246mW

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Terminal Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Parça Durumu

Obsolete

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Kurşunsuz

Contains Lead

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yayın Yılı

2001

Continuous Collector Current

100mA

Polarity

PNP

Current Collector Cutoff Max

500nA

HTS Kodu

8541.21.00.95

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Element Configuration

Single

Power Dissipation

246mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Pin Sayısı

3

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Polaritychannel Type

PNP

Transistor Element Material

SILICON

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Voltage Rated Dc

-50V

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Terminal Formu

GULL WING

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Montaj

Surface Mount

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Transistor Application

SWITCHING

Yüzey Montaj

YES

Akım Değeri

-100mA

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1

Hfemin

60

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

no

Max Power Dissipation

246mW