MMBV2109LT1G

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e3

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Terminal Formu

GULL WING

Diode Cap Tolerance

10%

Number Of Elements

1

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Capacitance Vr F

36.3pF @ 4V 1MHz

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

30V

Terminal Sayısı

3

Capacitance Ratio Condition

C2/C30

Additional Feature

HIGH Q, HIGH RELIABILITY

Variable Capacitance Diode Classification

ABRUPT

Qualification Status

COMMERCIAL

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Frequency Band

HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY

Q Vr F

200 @ 4V, 50MHz

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2006

Terminal Kaplaması

MATTE TIN

HTS Kodu

8541.10.00.80

Forward Current

200mA

Terminal

SMD/SMT

Breakdown Voltage V

30V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Temel Parça No

MMBV2109

Montaj

Surface Mount

Reverse Voltage

30V

Montaj Tipi

Surface Mount

Kapasitans

29.7pF

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Diode Element Material

SILICON

Jedec95 Code

TO-236AB

Diode Type

Single

Voltage Rated Dc

30V

Capacitance Ratio

3.2

Breakdown Voltagemin

30V