Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Frequency Transition
- 850MHz
- Hfemin
- 60
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G3
- Transition Frequency
- 850MHz
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4V
- Yayın Yılı
- 2002
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Akım Değeri
- 30mA
- Power Max
- 150mW
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 20V
- Yüzey Montaj
- YES
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 90 @ 5mA 10V
- Power Dissipation
- 150mW
- Qualification Status
- COMMERCIAL
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Terminal Sayısı
- 3
- Collector Base Voltage Vcbo
- 30V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Montaj
- Surface Mount
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Gain
- 15dB ~ 23dB
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SOT-23-3
- Ürün Durumu
- Obsolete
- Parça Durumu
- Obsolete
- Frekans
- 850MHz
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 20V
- Highest Frequency Band
- VERY HIGH FREQUENCY B
- Currentcollector Ic Max
- 30mA
- Max Power Dissipation
- 150mW
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Transistor Element Material
- SILICON
- Transistor Type
- NPN
- Voltage Rated Dc
- 20V
- Element Configuration
- Single
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors