Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collector Base Voltage Vcbo
- 30V
- Terminal Sayısı
- 3
- Montaj
- Through Hole
- JESD-609 Kodu
- e3
- Qualification Status
- COMMERCIAL
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Power Dissipation
- 250mW
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 120 @ 1mA 6V
- Ambalaj
- Tape & Box (TB)
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT APPLICABLE
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4V
- Jesd30 Code
- O-PBCY-T3
- Transition Frequency
- 600MHz
- Hfemin
- 40
- Frequency Transition
- 600MHz
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN
- Power Max
- 250mW
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Akım Değeri
- 20mA
- Kılıf / Paket
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Yüzey Montaj
- NO
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 20V
- Weight
- 240mg
- Yayın Yılı
- 2007
- Gain Bandwidth Product
- 600MHz
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Continuous Collector Current
- 20mA
- Pin Sayısı
- 3
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Max Collector Current
- 20mA
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 20V
- Paket
- Bulk
- Noise Figure Db Typ F
- 3dB ~ 5dB @ 100MHz
- Number Of Elements
- 1
- Configuration
- SINGLE
- Currentcollector Ic Max
- 20mA
- Highest Frequency Band
- VERY HIGH FREQUENCY B
- Max Power Dissipation
- 250mW
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors