J309G

Teknik Özellikler

Drain To Source Breakdown Voltage

25V

Transistor Type

N-Channel JFET

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Obsolete

JESD-609 Kodu

e1

Frekans

100MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Akım Değeri

30mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pin Sayısı

3

Qualification Status

COMMERCIAL

Feedback Capmax Crss

2.5 pF

Kurşunsuz Kodu

yes

Ds Breakdown Voltagemin

25V

Kurşunsuz

Lead Free

Gate To Source Voltage Vgs

25V

Drain To Source Voltage Vdss

25V

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pin Sayısı

3

HTS Kodu

8541.21.00.75

Yüzey Montaj

NO

Nominal Gerilim

25V

Voltage Test

10V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)

Gain

16dB

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Jesd30 Code

O-PBCY-T3

Voltage Rated Dc

25V

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Current Rating Amps

30mA

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

SINGLE

Fet Technology

JUNCTION

Transistor Application

AMPLIFIER

Maks. Çalışma Sıcaklığı

125°C

Terminal Formu

THROUGH-HOLE