IRG4IBC20WPBF

Teknik Özellikler

Collectoremitter Breakdown Voltage

600V

Montaj Tipi

Through Hole

Currentcollector Ic Max

12A

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Vceon Max Vge Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Switching Energy

60μJ (on), 80μJ (off)

Genişlik

4.826mm

Tedarikçi Cihaz Paketi

TO-220AB Full-Pak

Gate Charge

26nC

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Test Conditions

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Giriş Tipi

Standard

Kılıf / Paket

TO-220-3 Full Pack

Collector Emitter Voltage Vceo

2.6V

Case Connection

ISOLATED

Power Dissipation

34W

Rise Time

14ns

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

600V

Yayın Yılı

2004

Akım Değeri

11.8A

Number Of Elements

1

Gateemitter Thr Voltagemax

6V

Additional Feature

LOW CONDUCTION LOSS

Turn Off Timenom Toff

300 ns

Power Max

34W

Reach Svhc

No SVHC

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Uzunluk

10.7442mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Max Collector Current

12A

Ambalaj

Tube

Element Configuration

Dual

Fall Timemax Tf

96ns

Transistor Application

POWER CONTROL

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Obsolete

Gateemitter Voltagemax

20V

Radyasyon Dayanımı

No