HN1B01FDW1T1

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA

Parça Durumu

Obsolete

Voltage Rated Dc

-60V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 6V

Power Dissipation

380mW

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Pin Sayısı

6

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Power Max

380mW

Current Collector Cutoff Max

2μA

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

GULL WING

Yüzey Montaj

YES

Akım Değeri

200mA

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

TIN LEAD

Polaritychannel Type

NPN AND PNP

Yayın Yılı

2009

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Transistor Application

AMPLIFIER

Kurşunsuz

Contains Lead

Max Power Dissipation

380mW

Element Configuration

Dual

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Collector Current

200mA

Collectoremitter Saturation Voltage

-150mV

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

JESD-609 Kodu

e0

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Transistor Type

NPN, PNP

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Currentcollector Ic Max

200mA

Number Of Elements

2

Emitter Base Voltage Vebo

7V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Jesd30 Code

R-PDSO-G6