HGTP12N60A4

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Application

POWER CONTROL

Switching Energy

55μJ (on), 50μJ (off)

Temel Parça No

HGTP12N60

Vceon Max Vge Ic

2.7V @ 15V, 12A

Current Collector Pulsed Icm

96A

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

600V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT APPLICABLE

Jesd30 Code

R-PSFM-T3

Giriş Tipi

Standard

Configuration

SINGLE

Kılıf / Paket

TO-220-3

Transistor Element Material

SILICON

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Turn Off Timenom Toff

180 ns

Td Onoff25c

17ns/96ns

Gate Charge

78nC

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT APPLICABLE

Pin Sayısı

3

Currentcollector Ic Max

54A

Number Of Elements

1

Montaj Tipi

Through Hole

Kurşunsuz Kodu

yes

Additional Feature

LOW CONDUCTION LOSS

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Case Connection

COLLECTOR

Power Max

167W

Test Conditions

390V, 12A, 10 Ω, 15V

Yüzey Montaj

NO

Jedec95 Code

TO-220AB

Parça Durumu

Obsolete

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Turn On Time

33 ns

Terminal Pozisyonu

SINGLE

JESD-609 Kodu

e3

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Qualification Status

COMMERCIAL

Ambalaj

Tube

Terminal Sayısı

3

Terminal Kaplaması

MATTE TIN