FJN4303RBU

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

56 @ 5mA 5V

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Kurşunsuz

Lead Free

Temel Parça No

FJN4303

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Ürün Durumu

Obsolete

Currentcollector Ic Max

100mA

Emitter Base Voltage Vebo

-10V

Terminal Sayısı

3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Resistor Emitter Base R2

22 k Ω

Transition Frequency

200MHz

Continuous Collector Current

-100mA

Yüzey Montaj

NO

Qualification Status

COMMERCIAL

Polaritychannel Type

PNP

Montaj

Through Hole

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Max Power Dissipation

300mW

Polarity

PNP

Pin Sayısı

3

Element Configuration

Single

Max Collector Current

100mA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Jesd30 Code

O-PBCY-T3

Akım Değeri

-100mA

Paket

Bulk

Power Max

300mW

Ambalaj

Bulk

Montaj Tipi

Through Hole

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Tedarikçi Cihaz Paketi

TO-92-3

Parça Durumu

Obsolete

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT APPLICABLE

Transistor Element Material

SILICON

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C