FJN3304RTA

Teknik Özellikler

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT APPLICABLE

Transistor Element Material

SILICON

Parça Durumu

Obsolete

Tedarikçi Cihaz Paketi

TO-92-3

Montaj Tipi

Through Hole

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Power Max

300mW

Paket

Bulk

Akım Değeri

100mA

Frequency Transition

250MHz

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3

Voltage Rated Dc

50V

Transistor Application

SWITCHING

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA

Resistor Base R1

47 k Ω

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT APPLICABLE

Hfemin

68

Terminal Kaplaması

MATTE TIN

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

Power Dissipation

300mW

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Kurşunsuz

Lead Free

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

68 @ 5mA 5V

Resistor Emitter Base R2

47 k Ω

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Sayısı

3

Emitter Base Voltage Vebo

10V

Currentcollector Ic Max

100mA

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Ürün Durumu

Obsolete

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Max Power Dissipation

300mW