FDW2501NZ

Teknik Özellikler

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Paket

Bulk

Akım Değeri

6A

Jesd30 Code

R-PDSO-G8

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

1286pF @ 10V

Yükseklik

1mm

Rds On Max Id Vgs

18m Ω @ 5.5A, 4.5V

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Formu

GULL WING

Vgsth Max Id

1.5V @ 250μA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Qualification Status

COMMERCIAL

Max Power Dissipation

600mW

Yüzey Montaj

YES

Ürün Durumu

Obsolete

Ds Breakdown Voltagemin

20V

Pin Sayısı

8

Power Dissipation

1W

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Drain Currentmax Abs Id

5.5A

Gate Charge Qg Max Vgs

17nC @ 4.5V

Turn Off Delay Time

25 ns

Drainsource On Resistancemax

0.018Ohm

Number Of Elements

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Montaj

Surface Mount

Terminal Kaplaması

TIN

Voltage Rated Dc

20V

Yayın Yılı

2002

Kurşunsuz Kodu

yes

Uzunluk

3mm

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Jedec95 Code

MO-153AA