EMZ1DXV6T1G

Teknik Özellikler

Max Collector Current

100mA

Yayın Yılı

2006

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Pin Sayısı

6

Max Power Dissipation

500mW

Polarity

NPN, PNP

Transistor Application

AMPLIFIER

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Type

NPN, PNP

Montaj Tipi

Surface Mount

Collectoremitter Saturation Voltage

-500mV

Frequency Transition

180MHz 140MHz

Akım Değeri

-100mA

Terminal Kaplaması

TIN

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

ECCN Kodu

EAR99

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

60V

Yüzey Montaj

YES

Collector Emitter Voltage Vceo

400mV

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

2

Kurşunsuz

Lead Free

Voltage Rated Dc

-60V

Polaritychannel Type

NPN AND PNP

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

Kurşunsuz Kodu

yes

Temel Parça No

EMZ1

Hfemin

120

Emitter Base Voltage Vebo

6V

JESD-609 Kodu

e3

Qualification Status

COMMERCIAL

Montaj

Surface Mount

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Power Max

500mW

Terminal Formu

FLAT

Power Dissipation

500mW