EMX1DXV6T1

Teknik Özellikler

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

Current Collector Cutoff Max

500nA ICBO

Pin Sayısı

6

Yayın Yılı

2005

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1mA 6V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Terminal Kaplaması

MATTE TIN

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Transistor Element Material

SILICON

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Collector Emitter Voltage Vceo

400mV

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Polarity

NPN

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Collector Current

100mA

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Elements

2

Parça Durumu

Obsolete

Voltage Rated Dc

50V

Terminal Sayısı

6

Element Configuration

Dual

Frequency Transition

180MHz

Akım Değeri

100mA

Pin Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e3

Collectoremitter Saturation Voltage

400mV

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

AMPLIFIER

Qualification Status

COMMERCIAL

Gain Bandwidth Product

180MHz

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Formu

FLAT

Hfemin

120

Power Max

500mW

ECCN Kodu

EAR99

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS