EMG2DXV5T5

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2009

Yüzey Montaj

YES

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Hfemin

80

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Transistor Element Material

SILICON

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

JESD-609 Kodu

e3

Power Max

230mW

Kurşunsuz Kodu

yes

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Terminal Kaplaması

MATTE TIN

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Formu

FLAT

Montaj

Surface Mount

Polaritychannel Type

NPN

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Pin Sayısı

5

Pin Sayısı

5

Temel Parça No

EMG

Polarity

NPN

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

100mA

Power Dissipation

230mW

Configuration

COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Current Collector Cutoff Max

500nA

Parça Durumu

Obsolete

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Resistor Base R1

47k Ω

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Transistor Application

SWITCHING

Akım Değeri

100mA