EMF5XV6T5

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2005

ECCN Kodu

EAR99

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Type

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Hfemin

80

Yüzey Montaj

YES

JESD-609 Kodu

e3

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Transistor Element Material

SILICON

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V / 270 @ 10mA 2V

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Max

500mW

Element Configuration

Dual

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Formu

FLAT

Polaritychannel Type

NPN AND PNP

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Kaplaması

MATTE TIN

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

Pin Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Temel Parça No

EMF

Polarity

NPN, PNP

Max Collector Current

500mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V 12V

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

Current Collector Cutoff Max

500nA

Parça Durumu

Obsolete

Resistor Base R1

47k Ω

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Akım Değeri

100mA

Max Power Dissipation

500mW