DTA123JET1

Teknik Özellikler

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Currentcollector Ic Max

100mA

Resistor Base R1

2.2 k Ω

JESD-609 Kodu

e0

Power Max

200mW

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Kaplaması

TIN LEAD

Yüzey Montaj

YES

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Number Of Elements

1

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Transistor Application

SWITCHING

Resistor Emitter Base R2

47 k Ω

Kılıf / Paket

SC-75, SOT-416

Montaj Tipi

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36

Current Collector Cutoff Max

500nA

Polaritychannel Type

PNP

Parça Durumu

Obsolete

Qualification Status

COMMERCIAL

Kurşunsuz Kodu

no

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant