DTA123EET1

Teknik Özellikler

Voltage Rated Dc

-50V

Yayın Yılı

2009

Currentcollector Ic Max

100mA

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Akım Değeri

-100mA

Resistor Base R1

2.2 k Ω

Hfemin

8

Terminal Kaplaması

TIN LEAD

Yüzey Montaj

YES

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Max Power Dissipation

200mW

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Temel Parça No

DTA123

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Jesd30 Code

R-PDSO-G3

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Current Collector Cutoff Max

500nA

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Polarity

PNP

Kurşunsuz Kodu

no

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 5mA, 10mA

JESD-609 Kodu

e0

Power Max

200mW

Pin Sayısı

3

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Element Configuration

Single

Terminal Pozisyonu

DUAL

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

8 @ 5mA 10V

Continuous Collector Current

100mA

Transistor Application

SWITCHING

Resistor Emitter Base R2

2.2 k Ω

Number Of Elements

1

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV