BF909,215

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Operating Mode

DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE

Kılıf / Paket

TO-253-4, TO-253AA

Operating Temperature Max

150°C

Drain Currentmax Abs Id

0.04A

JESD-609 Kodu

e3

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Terminal Formu

GULL WING

Parça Durumu

Obsolete

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yayın Yılı

1998

Transistor Application

AMPLIFIER

Noise Figure

2dB

Additional Feature

LOW NOISE

Pin Sayısı

4

ECCN Kodu

EAR99

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yüzey Montaj

YES

Jesd30 Code

R-PDSO-G4

Ds Breakdown Voltagemin

7V

Voltage Test

5V

Qualification Status

Not Qualified

Nominal Gerilim

7V

Current Test

15mA

Frekans

800MHz

Transistor Type

N-Channel Dual Gate

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Temel Parça No

BF909

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Case Connection

SOURCE

Number Of Elements

2

Terminal Sayısı

4

Feedback Capmax Crss

0.05 pF

Configuration

COMPLEX

Current Rating Amps

40mA

HTS Kodu

8541.21.00.75

Tedarikçi Cihaz Paketi

SOT-143B