Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 40V
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 65 @ 1mA 10V
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4V
- Pin Sayısı
- 3
- Max Power Dissipation
- 350mW
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Number Of Elements
- 1
- Gain Bandwidth Product
- 1.1 GHz
- Transistor Element Material
- SILICON
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- TO-92-3
- Kılıf / Paket
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 40V
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Terminal Sayısı
- 3
- Polarity
- NPN
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Continuous Collector Current
- 50mA
- Configuration
- SINGLE
- Parça Durumu
- Obsolete
- Qualification Status
- COMMERCIAL
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Temel Parça No
- BF240
- Frequency Transition
- 1.1GHz
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 40V
- Transistor Type
- NPN
- Max Frequency
- 150MHz
- Power Max
- 350mW
- Ambalaj
- Bulk
- Hfemin
- 65
- Power Dissipation
- 350mW
- Akım Değeri
- 50mA
- Collector Base Voltage Vcbo
- 40V
- Frekans
- 150MHz
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Yüzey Montaj
- NO
- Element Configuration
- Single
- Jesd30 Code
- O-PBCY-T3
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- JESD-609 Kodu
- e3
İlgili Ürünler
Stokta
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Stokta
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors