
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Transistor Application
- SWITCHING
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Pin Sayısı
- 6
- Power Max
- 250mW
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Montaj
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Halogen Free
- Halogen Free
- Resistor Base R1
- 10kOhms
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Contact Plating
- Tin
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 6
- Yayın Yılı
- 2011
- JESD-609 Kodu
- e3
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Hfemin
- 120
- Frequency Transition
- 150MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 120 @ 5mA 5V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Number Of Elements
- 2
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- PG-SOT363-6
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Polarity
- NPN
- Transition Frequency
- 150MHz
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Terminal Formu
- GULL WING
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Parça Durumu
- Last Time Buy
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Element Configuration
- Dual
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- ECCN Kodu
- EAR99
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

