
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Max
- 250mW
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Frequency Transition
- 170MHz
- Max Collector Current
- 100mA
- Number Of Elements
- 2
- Reference Standard
- AEC-Q101
- Transition Frequency
- 170MHz
- Yayın Yılı
- 2007
- Transistor Application
- SWITCHING
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Polarity
- NPN
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Terminal Formu
- GULL WING
- Max Power Dissipation
- 250mW
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- PG-SOT363-6
- Genişlik
- 1.25mm
- JESD-609 Kodu
- e3
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 300mV
- ECCN Kodu
- EAR99
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Resistor Emitter Base R2
- 47kOhms
- Temel Parça No
- BCR108S
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Hfemin
- 70
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 70 @ 5mA 5V
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Element Configuration
- Dual
- Montaj
- Surface Mount
- Resistor Base R1
- 2.2kOhms
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Yükseklik
- 800μm
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Uzunluk
- 2mm
- Halogen Free
- Halogen Free
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

