BC858CDW1T1G

Teknik Özellikler

Number Of Elements

2

Hfemin

420

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Collector Emitter Voltage Vceo

650mV

Akım Değeri

-100mA

Terminal Sayısı

6

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V

Transition Frequency

100MHz

Transistor Application

AMPLIFIER

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e3

Parça Durumu

Obsolete

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Power Max

380mW

Montaj

Surface Mount

Radyasyon Dayanımı

No

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Transistor Element Material

SILICON

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Terminal Formu

GULL WING

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Power Dissipation

380mW

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Collector Base Voltage Vcbo

-30V

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Tedarikçi Cihaz Paketi

SC-88/SC70-6/SOT-363

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

6

Yayın Yılı

2005

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

420 @ 2mA 5V

Montaj Tipi

Surface Mount

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Element Configuration

Dual

Voltage Rated Dc

-30V

Max Collector Current

100mA

Currentcollector Ic Max

100mA

Polarity

PNP