BC858CDW1T1

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Obsolete

JESD-609 Kodu

e0

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Terminal Formu

GULL WING

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Number Of Elements

2

Transistor Application

AMPLIFIER

Transition Frequency

100MHz

Akım Değeri

-100mA

Qualification Status

COMMERCIAL

Collector Emitter Voltage Vceo

650mV

Pin Sayısı

6

Element Configuration

Dual

Voltage Rated Dc

-30V

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Collector Base Voltage Vcbo

-30V

Max Power Dissipation

380mW

Polaritychannel Type

PNP

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

Montaj Tipi

Surface Mount

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

420 @ 2mA 5V

Yayın Yılı

2005

Pin Sayısı

6

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Element Material

SILICON

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Power Max

380mW

Transistor Type

2 PNP (Dual)

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Hfemin

420

Terminal Sayısı

6

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

30V