BC856BDW1T3

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Terminal Sayısı

6

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Polaritychannel Type

PNP

Transition Frequency

100MHz

Yüzey Montaj

YES

Currentcollector Ic Max

100mA

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

220 @ 2mA 5V

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

6

Qualification Status

COMMERCIAL

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

2

JESD-609 Kodu

e0

Parça Durumu

Obsolete

Terminal Kaplaması

TIN LEAD

Frequency Transition

100MHz

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Power Max

380mW

Transistor Application

AMPLIFIER

Kurşunsuz Kodu

no

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

GULL WING

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

65V