BC847BPDXV6T1

Teknik Özellikler

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Terminal Formu

FLAT

Polaritychannel Type

NPN AND PNP

Yayın Yılı

2005

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Polarity

NPN, PNP

Kurşunsuz

Lead Free

Gain Bandwidth Product

100MHz

Currentcollector Ic Max

100mA

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA

Max Power Dissipation

500mW

Hfemin

200

Terminal Sayısı

6

Transistor Type

NPN, PNP

Temel Parça No

BC847BPD

Collectoremitter Saturation Voltage

600mV

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Transition Frequency

100MHz

Max Collector Current

100mA

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e3

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Max

500mW

Element Configuration

Dual

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Terminal Pozisyonu

DUAL

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Terminal Kaplaması

MATTE TIN

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

600mV

Kurşunsuz Kodu

yes

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ