BC847BDW1T3

Teknik Özellikler

Currentcollector Ic Max

100mA

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Terminal Formu

GULL WING

Polaritychannel Type

NPN

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Terminal Kaplaması

TIN LEAD

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Parça Durumu

Obsolete

Qualification Status

COMMERCIAL

Transistor Application

AMPLIFIER

JESD-609 Kodu

e0

Yüzey Montaj

YES

Number Of Elements

2

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Max

250mW

Frequency Transition

100MHz

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

45V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Kurşunsuz Kodu

no

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Sayısı

6

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Transition Frequency

100MHz

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

6