ISL6613AIBZ

Teknik Özellikler

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

8

Rise Fall Time Typ

26ns 18ns

Kurşunsuz Kodu

yes

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~125°C TJ

Parça Durumu

Obsolete

Supply Voltage1nom

12V

Interface Ic Type

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Max Output Current

3A

Qualification Status

Not Qualified

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Genişlik

3.9mm

Max Supply Voltage

13.2V

Driver Configuration

Half-Bridge

Uzunluk

4.9mm

Current Peak Output Source Sink

1.25A 2A

Besleme Gerilimi

12V

Rise Time

26ns

Power Dissipation Max

800mW

Terminal Pozisyonu

DUAL

Gate Type

N-Channel MOSFET

ECCN Kodu

EAR99

Jesd30 Code

R-PDSO-G8

High Side Voltage Max Bootstrap

36V

Besleme Gerilimi

10.8V~13.2V

Yayın Yılı

2001

Maks. Oturma Yüksekliği

1.75mm

Number Of Drivers

2

Min Supply Voltage

10.8V

Terminal Sayısı

8

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

High Side Driver

YES

Fall Time Typ

18 ns

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Channel Type

Synchronous

Giriş Tipi

Non-Inverting

Çıkış Akımı

3A