HIP2100IBZT

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

1996

Rise Fall Time Typ

10ns 10ns

Jesd30 Code

R-PDSO-G8

Min Supply Voltage

9V

Interface Ic Type

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Uzunluk

4.9mm

Current Peak Output Source Sink

2A 2A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Terminal Pozisyonu

DUAL

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

9 Weeks

Turn On Delay Time

8 ns

Max Output Current

2A

Terminal Formu

GULL WING

Yüzey Montaj

YES

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Turn Off Delay Time

8 ns

Fonksiyon Sayısı

1

Radyasyon Dayanımı

No

Nominal Supply Current

2.5mA

Propagation Delay

35 ns

Usage Level

Industrial grade

Gate Type

N-Channel MOSFET

Turn On Time

0.045 µs

Number Of Drivers

2

Power Dissipation Max

1.3W

Maks. Oturma Yüksekliği

1.75mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Temel Parça No

HIP2100

High Side Driver

YES

Power Dissipation

1.3W

Driver Configuration

Half-Bridge

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Genişlik

3.9mm

Max Supply Current

2.5mA

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

ECCN Kodu

EAR99

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C