HIP2100IBT

Teknik Özellikler

Turn On Time

0.045 µs

Gate Type

N-Channel MOSFET

Radyasyon Dayanımı

No

Nominal Supply Current

2.5mA

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Turn Off Delay Time

8 ns

Fonksiyon Sayısı

1

Max Output Current

2A

Turn On Delay Time

8 ns

Terminal Formu

GULL WING

Yüzey Montaj

YES

Terminal Pozisyonu

DUAL

Parça Durumu

Obsolete

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Uzunluk

4.9mm

Current Peak Output Source Sink

2A 2A

Min Supply Voltage

9V

Interface Ic Type

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Jesd30 Code

R-PDSO-G8

Yayın Yılı

2001

Rise Fall Time Typ

10ns 10ns

Fall Time Typ

10 ns

Montaj

Surface Mount

Channel Type

Independent

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Rise Time

10ns

Kurşunsuz

Contains Lead

Besleme Gerilimi

9V~14V

High Side Voltage Max Bootstrap

114V

Terminal Sayısı

8

Temperature Grade

AUTOMOTIVE

Giriş Tipi

Non-Inverting

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Output Peak Current Limitnom

2A

Logic Voltagevil Vih

4V 7V

Turn Off Time

0.045 µs

Çıkış Akımı

2A

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Besleme Gerilimi

12V

Max Supply Voltage

14V