Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Polarity
- NPN
- Power Max
- 250mW
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 85°C
- Emitter Base Voltage Vebo
- 12V
- Transistor Type
- 6 NPN
- Gain Bandwidth Product
- 10 GHz
- Max Breakdown Voltage
- 12V
- Kılıf / Paket
- 14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Configuration
- COMPLEX
- Frekans
- 10GHz
- Gain
- 12.4dB ~ 17.5dB
- Yayın Yılı
- 2000
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Continuous Collector Current
- 30mA
- Parça Durumu
- Active
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Number Of Elements
- 6
- Pin Sayısı
- 14
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Akım Değeri
- 30mA
- ECCN Kodu
- EAR99
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 12V
- Transition Frequency
- 10000MHz
- Terminal Formu
- GULL WING
- Jedec95 Code
- MS-012AB
- Radyasyon Dayanımı
- No
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- JESD-609 Kodu
- e3
- Currentcollector Ic Max
- 30mA
- Power Dissipation
- 250mW
- Pin Sayısı
- 14
- Max Collector Current
- 30mA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Montaj
- Surface Mount
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors