+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

Renesas

NE68033-T1B-A

RF BJT Transistors

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı
150°C (TJ)
Max Power Dissipation
200 mW
Gain
8dB
Polarity
NPN
Number Of Elements
1
Noise Figure Db Typ F
1.8dB @ 2GHz
Uzunluk
2.9 mm
Emitter Base Voltage Vebo
1.5 V
Currentcollector Ic Max
35mA
Nem Hassasiyeti (MSL)
1 (Unlimited)
Frekans
2 GHz
Collector Base Voltage Vcbo
20 V
Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
50 @ 10mA, 6V
Boyut / Ölçü
0.351 Dia x 0.786 L (8.92mm x 19.96mm)
Output Power
200mW
Transistor Type
NPN
Weight
1.437803 g
Max Breakdown Voltage
10 V
Nominal Gerilim
20V
Akım Değeri
35 mA
Collector Emitter Voltage Vceo
10 V
Continuous Collector Current
35 mA
Tolerans
±20%
Genişlik
1.5 mm
Power Dissipation
200 mW
Paket
Tape & Reel (TR)
Ambalaj
Bulk
Seri
Military, MIL-PRF-39003/1, CSR13
Montaj Tipi
Surface Mount
RoHS
Compliant
Kapasitans
100µF
Gain Bandwidth Product
10 GHz
Pin Sayısı
3
Montaj
Surface Mount
Temel Parça No
NE68033
Radyasyon Dayanımı
No
Manufacturer Size Code
D
Tip
Hermetically Sealed
Voltage Rating Dc
10 V
Frequency Transition
10GHz

İlgili Ürünler

  • Microsemi Corporation

    0204-125

    RF BJT Transistors
  • Microsemi Corporation

    0510-50A

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09022326834

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09023646919

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006246

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006247

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09031466903

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09032322850222

    RF BJT Transistors
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek